在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 7543|回复: 22

[求助] 差分放大器的输入管问题

[复制链接]
发表于 2011-11-28 23:15:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在做差分放大器的设计时,输入管可以为PMOS对管或者NMOS对管,请问这两种输入对管的优缺点有些什么?如何选择?
发表于 2011-11-29 09:25:23 | 显示全部楼层
PMOS和NMOS的选择,一个考虑是输入电压范围,若输入电压较低,应选择PMOS,否则是NMOS,其他的考虑请大家补充!
发表于 2011-11-29 10:40:39 | 显示全部楼层
考虑到匹配和噪声,PMOS更好
发表于 2011-11-29 11:32:13 | 显示全部楼层
PMOS 速度比NMOS 慢吧
发表于 2011-11-29 12:23:48 | 显示全部楼层
有资料上说PMOS的匹配性比NMOS好,不过这一点我自己没有体会到过。
拉扎维书的第二章提到过,NMOS迁移率高于PMOS,因此通常来说速度较快,而PMOS要获得大致相同的速度则要消耗更大的面积。更大的面积,一方面对于工艺绝对误差引起的相对失配就减小了,另一方面,则是芯片面积增加,以及寄生电容增加,影响到了电路的速度;
拉扎维书的第7章又提到,理论上说,PMOS的1/f噪声要比NMOS来的小,而且在实际的设计中,貌似我们也是这么做的。
暂时想到这么多,都是自己的理解,说错了的,楼下的大侠们随便拍
发表于 2011-11-29 13:00:38 | 显示全部楼层
看Ken martin书上有比较过。
发表于 2011-11-29 13:10:39 | 显示全部楼层
感觉是考虑运放1/f噪声的时候选PMOS比较好
发表于 2011-11-29 13:26:54 | 显示全部楼层
回复 5# suncold


    同样面积下pmos的匹配也比nmos好,建议你好好看看Sansen的书
发表于 2011-11-29 14:12:24 | 显示全部楼层
回复 8# wocaishidac


Sansen的书还真没看过,呵呵
在学校的时候没看,工作了吧时间也就少了,加上现在做的方向对这方面没太多需要琢磨的
有时间的确还是该把Sansen的书找来看看了
发表于 2011-11-29 15:15:04 | 显示全部楼层
用PMOS好像较为稳定,也较为经济。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 12:57 , Processed in 0.025259 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表