在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4635|回复: 13

请教MEDICI问题

[复制链接]
发表于 2011-11-14 11:19:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
MEDICI输出的out文件里有自动生成的电导(如:g(gate,source))和电容(如:c(gate,source)),这些是什么电容和电导,包括本征的和寄生的,还是仅仅是本征的???知道的告小弟我一下,谢谢!
发表于 2011-11-14 21:39:47 | 显示全部楼层
intrinsic unless you do spice in medici
 楼主| 发表于 2011-11-17 10:08:39 | 显示全部楼层
回复 2# ukinfo
谢谢,再请教一下,那求总电容(intrinsic+extrinsic)用什么语句呢?麻烦了,非常感谢!!!!
发表于 2011-11-17 18:35:05 | 显示全部楼层
总电容 of the circuit or just a device?
Let me know your case & require.
 楼主| 发表于 2011-11-18 14:13:45 | 显示全部楼层
回复 4# ukinfo
就是求一个普通MOS管的栅源栅漏的总电容(包括交叠电容和边缘场电容),MEDICI可能跑出来交叠电容?还有就是源漏电阻(源结+漏结+沟道),用什么语句?(总电阻用extract name=R express="@V(Drain)/@I(Drain)" 表达式可行?还是用extract name=R express=“1/g(Drain,source)”?)小弟还是个菜鸟,谢谢赐教,感激不尽!
发表于 2011-11-18 20:07:25 | 显示全部楼层
You are welcome

It seems to me that you wanna a MOSFET

Do not understand 栅源栅漏的总电容 your mentioned, please specify it in English.

What it sounds like to me is your would like to simulate the gate capacitance + field capacitance.  

The later one (i.e. 边缘场电容) require the definition the environment condition - air, which is excluded in the expression of "@V(Drain)/@I(Drain)".  It is straightforward.  

However, the trick thing is your device structure.  MEDICI is very likely to give you weird value if it is not tuned precisely.

Also error might occur to your expression " extract name=R express="@V(Drain)/@I(Drain) ", which might be better to be changed into

extract name=Rds express="@V(Drain)/@I(Drain) cond="@I(drain)>0"

Enjoy it.  Let me know if your have any further hesitate.  ukinfo@in.com
 楼主| 发表于 2011-11-19 11:28:44 | 显示全部楼层
Thanks for your help.Wish you have a good life!
发表于 2013-5-3 21:14:40 | 显示全部楼层
回复 6# ukinfo


    想请教一下在仿真双极性晶体管时,电路模型已经导入程序中,最后要画图,如果要求解在某一时刻的温度分布,电场强度分布和电流密度分布程序该如何写?
发表于 2014-5-11 11:45:39 | 显示全部楼层
回复 4# ukinfo

请问楼主用过medici的电路仿真功能吗?我有个电路仿真的问题想请教您。怎么将例子medex17HEMT管子)做成一个模型,然后将其用于电路仿真中?我尝试过SAVE MESH OUT.FILE=HEMT W.MODELS   HEMT1 1=1 2=3 0=2 0=4 FILE=HEMT

结果报错 HEMT unknown circuit parameter
您有没有好的办法呢?谢谢您!

发表于 2014-5-12 02:39:25 | 显示全部楼层




有,不“十分”复杂的电路,200 node以下的
你的问题是输出的文档 hemt 没有正确导入。这个问题简单,只要按照例子或者user guild上正确解答,就没有问题的。


接下来的问题是,你的GaN Hemt的电路中convergence问题,这要花点心思才能解决。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-5-16 03:41 , Processed in 0.034183 second(s), 8 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表