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本帖最后由 ziqingxing 于 2011-11-5 15:32 编辑
问题原型是某公司招聘试题,自己没有这方面的经验,希望听听大家的意见。
问题:
Q1、基于130um 工艺数模混合电路,数字部分有RAM、30万门逻辑;模拟部分有PLL、AD、DA、PLL 等。该SOC 的工作频率为60MHz 问
A 如何考虑低功耗设计;
B 如何减小平均电流;
C 如何减小瞬态电流
Q2、对于上述数模混合电路, 如果采用65nm 工艺,工作频率为200MHz,如何考虑A、B、C问题。
在Synopsys Power Compiler 手册中
”Leakage current was negligible in earlier CMOS technologies. However, with shrinking device geometries and reduced threshold voltages, leakage power is becoming increasingly significant, sometimes approaching the levels of dynamic power dissipation. “
另外“Low-Power Design Strategies” 给的方法:
1、Supply Voltage Reduction
2、Clock Gating
3、Multiple-Vt Library Cells
4、Multivoltage Design
5、Power Switching
6、Dynamic Voltage and Frequency Scaling
具体怎么选择设计方法,有经验的达人指导下啊,先谢了。 |
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