与非门的两个输入端有什么区别

挂在天边的鱼 · 发表于 2011-10-5 01:56:58

门级电路应该没有什么区别，在晶体管级，可能会出现6楼所说的情况

optihack · 发表于 2011-10-8 02:44:07

回复 1# 筱筱冯

Nand gate pmos两个input没区别， nmos有上下之分
多变信号连nmos下面的input会造成transition变大，功耗变多。很好理解，在稳定信号或者不多变信号是0的时候，没区别，因为整个cell电压维持高电压不变，但是1的时候就有区别了，
这时候多变信号的变化会导致这个单元不停充放电，而当下面的nmos接多变信号的时候，每当0～1时充电就需要多充一个(Cgs+Cgd),
而1～0的时候所有电都放掉，这样功耗会变大，transition就不说了，同理
照着layout 图看很好理解

yongfenr · 发表于 2011-10-9 17:38:58

从管级角度分析，如果两个信号的位置是有差异的
[img][/img]，连在NMOS管的2个输入端到输出端的距离不一样，到地的距离也不一样。
翻转频率高的一般离输出端近。

kevinht · 发表于 2011-10-9 22:38:47

回复 1# 筱筱冯

CMOS的版图画出来看就清楚了，上面2个PMOS管是并联的，所以输入端互换是等价的，没有关系。而下面2个NMOS则是串联的，上端的NMOS与下端NMOS分别接多变信号时，情况是有差异的，如12楼所说。

danielz29 · 发表于 2011-10-11 10:45:03

no idea............

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