MOM电容与MIM电容的区别

Layout_Guo

MOM是金属侧壁电容，stake结构的也会有上下层之间的电容；
MIM是纯粹的平板电容，上下层极板之间会插入一层金属（TSMC叫CTM），CTM与上级板联通，为的是减小与下极板的距离，增大电位容值。

tuition0804

學習了 感謝

srj915

在高频的时候，MIM/MOM/Vara的Q值是不一样的，对Q值要求较高的器件或者模块，需要区分，SMIC13工艺举例，三种电容随着频率的变大，Q值都会变小，但整体来说Q值是MOM>MIM>VARA，当然这也要考虑芯片面积和其他性能的情况，如果不考虑Q值，那就可以将面积或者电路那边需要的性能放在前来考虑。MIM可以叠在非射频器件上，但它本身单位面积的电容值不如其他两个大如果觉得存在一定风险还是不要叠加为好。如果评估没有问题，可以尝试，当然有的模块的电容也可以把三种电容完全重叠来做。

skew

silencez1 发表于 2019-10-22 19:46
MIM电容被称为极板电容，是Mn和Mn-1金属构成的，利用上下层金属间的电容构成。由于上下层金属在三维空间内 ...

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i0977454522

thank

challengersy

感谢分享！！！

hadeheng

Icfbicfb大神的回复：
MOM 是tsmc的说法： metal  oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap，
可能任何工艺都有这个cap，

MIM ： metal insulator metal， 这个在Analog、RF工艺里面才有，用来做 高精度的cap，
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成，  logic工艺是不提供的，
MIM的2层metal 特别厚， 一般是下面的好几倍甚至是10几倍，主要是 电阻小， EM好，  电感Q值大，  这个做电感的人知道的，用MIM 做天线

Williams00

hadeheng 发表于 2021-9-1 01:01
Icfbicfb大神的回复：
MOM 是tsmc的说法： metal  oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成 ...

MOM利用的边缘电容 没有MIM的精度高

hadeheng

Williams00 发表于 2021-9-1 17:30
MOM利用的边缘电容 没有MIM的精度高

嗯嗯，是的

ZJU_emi

1、产生方式不同：

（1）、MOM 电容：MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。

（2）、MIM电容：MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。


MIM会引入一层光罩（MCT之类），这一层做在Mn上面，Mn+1下面，用Vian与Mn+1相连，所以实际上是Mn与MCt之间的C，极板间距缩小，C变大。


2、Q值不同：


MOM 电容比MIM电容的Q值大。


3、形成不同：


（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。

（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。


4、cap不同：


（1）、MOM是fringe cap为主。

（2）、MIM是平板cap为主。