MOM电容与MIM电容的区别

chenhongtv · 发表于 2011-9-9 15:35:05

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哪位知道MOM电容与MIM电容的区别呢? 这些电容是不是只有0.18以下的工艺中才会用到呢?

guozhuoqi · 发表于 2011-9-9 21:16:33

MIM一般用最高的两层metal；MOM可以用很多层金属。楼下继续补充。

关东客1 · 发表于 2011-9-10 11:55:28

回复 1# chenhongtv

MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成；
而MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。

cherry_li · 发表于 2011-9-13 14:52:04

MOM 是 fringe cap 为主
MIM 是平板 cap 为主

icfbicfb · 发表于 2011-9-13 16:42:11

MOM 是tsmc的说法： metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap，
可能任何工艺都有这个cap，

MIM ： metal insulator metal，这个在Analog、RF工艺里面才有，用来做高精度的cap，
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成， logic工艺是不提供的，
MIM的2层metal 特别厚，一般是下面的好几倍甚至是10几倍

jian1712 · 发表于 2011-9-13 16:52:57

回复 5# icfbicfb

"MIM的2层metal 特别厚，一般是下面的好几倍甚至是10几倍"
对于这两层metal的厚度表示怀疑,真的会是下面的metal的几倍甚至10几倍么?
个人感觉选择thick metal是为了增大电流密度,且thick metal通常是top metal, 可否提供一下数据看看。假如真的那么厚，把metal做的这么厚的作用是什么？

icfbicfb · 发表于 2011-9-13 17:28:17

主要是电阻小， EM好，电感Q值大，这个做电感的人知道的，

用MIM 做天线，

jian1712 · 发表于 2011-9-13 17:41:29

回复 7# icfbicfb
谢谢，RF Layout么，未曾做过。

ptadx · 发表于 2011-9-13 20:43:55

请问一下：MIM 是由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成的吗？
我们公司有的是TSMC的2P6M的，但是MIM电阻是M5和M4两层啊？

chenhongtv · 发表于 2011-9-14 09:52:04

估计是因为设计规则中顶层金属的宽度和间距较其他层大很多, 要求也多. 为了便于布图会多选一层金属作为顶层,一般不做为布线层. 如有必要可能会做些顶层金属的DUMMY放上 .

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