在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
123
返回列表 发新帖
楼主: 敏兹

[求助] bandgap里面的运放

[复制链接]
发表于 2020-4-9 19:55:26 | 显示全部楼层
同问
发表于 2021-3-11 13:54:39 | 显示全部楼层
正好遇到这个问题,学习
发表于 2023-12-3 10:53:07 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2024-4-25 00:44:03 | 显示全部楼层


lihaiqi208 发表于 2011-12-24 11:06
回复 7# yshmilyou
你的经验与我的差不多


想问一下您,这两种连接方式有什么区别吗。第二种采用diode pmos的原因是为什么呢?

发表于 2024-11-26 21:48:10 | 显示全部楼层
mark!!
发表于 2025-3-21 09:40:01 | 显示全部楼层


yshmilyou 发表于 2011-9-6 20:03
大多都是两级结构
1. NMOS差分输入-单端输出+PMOS电流源
2. PMOS差分输入-单端输出+NMOS单端输入-Diode-PMO ...


你好,请教下pmos差分输入,第二级负载使用diode_pmos+pmos电流镜。

有相关的文章吗?想看看启动电路如何设计?
能不能直接将将diode_pmos和pmos电流镜的gate接到启动电路呢?这样好像容易启动振荡


多都是两级结构
1. NMOS差分输入-单端输出+PMOS电流源
2. PMOS差分输入-单端输出+NMOS单端输入-Diode-PMOS+PMOS电流镜





发表于 2025-3-21 09:41:33 | 显示全部楼层


cnrxf 发表于 2024-4-25 00:44
想问一下您,这两种连接方式有什么区别吗。第二种采用diode pmos的原因是为什么呢?

...


请问找到diode pmos的相关资料吗?能分享下不
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-7-21 20:26 , Processed in 0.030175 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表