关于NAND FLASH Controller

ra3d

Could some body provide details on synchronization ?

zhspgood

都是高手啊

ultracell

   

我看楼主用过美光的flash芯片，冒昧请楼主帮解决一下我个人的一点小疑问：
    美光128Gb的NAND flash芯片 ...
xiaolingyun 发表于 2014-4-22 14:47

                               
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    镁光这个型号用的应该是onfi2或者3的接口标准把，那肯定是同步的了阿，怎么会异步呢

xjnguiji

回复 4# haibo2806


    坏块检测和ECC是不同的。当在编程一个块中的第N个page时，page中的某个bit或某几个bit出现program错误，就将这个块的1到N-1个page复制到冗余块的相应page，数据缓存的数据就program到新块的第N个page。坏块就被替换了，并被标记。标记位可以检测坏块。

ECC是在读操作中，对nand读出数据进行验证，检验是否在编程，坏块替换时的复制，出现过错误。一定程度上可以修改错误。

坏块的错误是某位，某些位固定为高或低，不能编程为低，擦除为高。
ECC错误，是数据的某些位与要保存的数据不同。

Apenper

可以把代码贴出来大家学习下啊

yazixiaowo

如果可以分享下代码那就好了，最近正在研究这个

DZ小亮

杰克淡定

我来打击一下楼主，1：现在的NAND flash以TLC居多，扇区大小普遍1K byte，次之也是512Byte，以256byte为单位做纠错码浪费传输效率和纠错效率。2、MLC/TLC存储出错概率很大，你的纠错能力实在太弱没有可应用性，纠错能力涵盖8bit/1Kbyte, 24bit/1Kbyte，60bit/1Kbyte是基本要求。3、你的380Mbyte/s是指单片nand接口上的速度吗？数据可不能乱说，ONFI的toggle接口200M频率才能达到400MB/s的纯数据传输速率，即使你控制器能到这么快，PAD速度做不到200MHz也是白搭。

Jeff101

回复 18# 杰克淡定


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