反向特性曲线异常

wuxm0618

模拟GaN肖特基二极管反向耐压特性，程序如下：
go atlas
#画网格
mesh
x.mesh loc=0   spacing=5
x.mesh loc=1000    spacing=5
y.mesh loc=0      spacing=0.01
y.mesh loc=10      spacing=1
#定义材料
region number=1 material=GaN x.min=0 x.max=1000 y.min=0 y.max=10
#定义电极
electrode name=anode  x.min=300  x.max=700
electrode name=cathode bottom
#定义掺杂
doping uniform concentration=2.0e16   n.type region=1
#定义接触
contact   name=anode workfunction=5.64
save outf=sbd01_5um.str
tonyplot sbd01_5um.str
material permittivity=8.9 eg300=3.507 egbeta=830 egalpha=0.909e-3 nc300=2.23e18  nv300=4.62e19
mobility fmct.n
mobility  mu1n.fmct=295.0 mu2n.fmct=1460 alphan.fmct=0.66 betan.fmct=-3.84

impact selb an1=2.52e8 an2=2.52e8 bn1=3.41e7 bn2=3.41e7\
            ap1=3.57e6 ap2=3.57e6 bp1=1.96e7   bp2=1.96e7   BETAN=1.0 BETAP=1.0 EGRAN=1.0
MODEL MATERIAL=GaN  FERMI  print
method  newton trap maxtraps=10  climit=1e-10
log outf=reverse.log
solve vanode=0  vstep=-0.2  vfinal=-1  name=anode
solve vanode=-1  vstep=-1   vfinal=-10  name=anode
solve vanode=-10  vstep=-10   vfinal=-100  name=anode
solve vanode=-100 vstep=-20   vfinal=-300 name=anode
tonyplot reverse.log
quit
得到的反向耐压特性曲线如下：

请问各位高手：为什么在-140v左右会有凹坑，它的电流比前面低反压时还小？