请问：MIM电容下为什么不允许放MOS管？

hongmy

一般foundry都要求，MIM电容下不能放active layer，也不能放MOS管了，但是一直都不了解究竟是为什么？请达者指点。欢迎大家讨论。

从层次上来说，我觉得应该是可以放的呀

我想可能： 1） 下面放其他器件，使得在开始做MIM电容时这一片不平，影响电容精度（不过不是有CMP嘛）；
               2） 由于电容的电力线影响，可能会与下面的器件产生相互的干扰。
    所以，如果对电容要求比较高，如匹配，精度等有要求的地方，下面不应该放，可是如果我对这些要求都不高呢，为什么不能放？

如果我需要一个比较大的电容，下面放MOS电容，上面放MIM电容，这样多层不是可以节省不少面积嘛。

icdreamer

神马都不放寄生还嫌大、、、你太随便了

California

如果对MIM匹配精度要求比较低，下面摆MOS应该OK的。COST DOWN的压力。。。
像您提到的一般都有CMP技术，下面MOS对MIM加工影响有限，不过可能要稍微考虑下coupling effect的影响。

hongmy

   

如果对MIM匹配精度要求比较低，下面摆MOS应该OK的。COST DOWN的压力。。。
像您提到的一般都有CMP技术，下 ...
California 发表于 2011-8-14 10:19

                               
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    仁兄说的正确，确实cost down的压力使然。前面那位兄台担心也对，不过有些地方对寄生并不敏感，即使寄生也无妨。最典型的就是decouple电容了，如果上层MIM电容，下面放MOS电容都作为decouple电容，形成夹层的方式，寄生也是可以变成好事的。
   就是不知道有谁实际这样做过，因为我以前没有这样做过，心里没有底。所以问问达人。

California

回复 4# hongmy


有项目用过。不知道您用的工艺是否有特殊的考虑? 或是直接向Fab确认这样做有何风险？

大飞

rf工艺可以的吧

semico_ljj

回复 4# hongmy

“最典型的就是decouple电容了”？decouple没有必要用MIM吧，再说MIM值又不大

hongmy

   

回复  hongmy

“最典型的就是decouple电容了”？decouple没有必要用MIM吧，再说MIM值又不大
semico_ljj 发表于 2011-8-15 23:20

                               
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    举例而已，decouple MOS电容上面可以加上一层MIM电容，电容面积比更高。
对于低频电路，如果排除工艺制造上的问题，如果单纯从寄生角度来考虑，Miller电容下面也可以放的电路的。

alfredchn

呵呵 我也碰到了同样的问题
我目前是没有理会fourndry的rule（问了他们，没有得到什么有用的信息），直接把MOS放在MIM电容下面

芯片测试了，性能还都OK。就是不知道对Yield会不会有影响

duoyun

可以啊。电感下面都可以放。呵呵。正是：人有多大胆，地有多大产。