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[原创] 请问:MIM电容下为什么不允许放MOS管?

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发表于 2011-8-13 15:28:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般foundry都要求,MIM电容下不能放active layer,也不能放MOS管了,但是一直都不了解究竟是为什么?请达者指点。欢迎大家讨论。

从层次上来说,我觉得应该是可以放的呀

我想可能: 1) 下面放其他器件,使得在开始做MIM电容时这一片不平,影响电容精度(不过不是有CMP嘛);
               2) 由于电容的电力线影响,可能会与下面的器件产生相互的干扰。
    所以,如果对电容要求比较高,如匹配,精度等有要求的地方,下面不应该放,可是如果我对这些要求都不高呢,为什么不能放?

如果我需要一个比较大的电容,下面放MOS电容,上面放MIM电容,这样多层不是可以节省不少面积嘛。
发表于 2011-8-13 21:23:25 | 显示全部楼层
神马都不放寄生还嫌大、、、你太随便了
发表于 2011-8-14 10:19:47 | 显示全部楼层
如果对MIM匹配精度要求比较低,下面摆MOS应该OK的。COST DOWN的压力。。。
像您提到的一般都有CMP技术,下面MOS对MIM加工影响有限,不过可能要稍微考虑下coupling effect的影响。
 楼主| 发表于 2011-8-14 14:55:11 | 显示全部楼层




    仁兄说的正确,确实cost down的压力使然。前面那位兄台担心也对,不过有些地方对寄生并不敏感,即使寄生也无妨。最典型的就是decouple电容了,如果上层MIM电容,下面放MOS电容都作为decouple电容,形成夹层的方式,寄生也是可以变成好事的。
   就是不知道有谁实际这样做过,因为我以前没有这样做过,心里没有底。所以问问达人。
发表于 2011-8-15 00:45:27 | 显示全部楼层
回复 4# hongmy


有项目用过。不知道您用的工艺是否有特殊的考虑? 或是直接向Fab确认这样做有何风险?
发表于 2011-8-15 09:39:11 | 显示全部楼层
rf工艺可以的吧
发表于 2011-8-15 23:20:32 | 显示全部楼层
回复 4# hongmy

“最典型的就是decouple电容了”?decouple没有必要用MIM吧,再说MIM值又不大
 楼主| 发表于 2011-8-16 09:54:07 | 显示全部楼层


回复  hongmy

“最典型的就是decouple电容了”?decouple没有必要用MIM吧,再说MIM值又不大
semico_ljj 发表于 2011-8-15 23:20




    举例而已,decouple MOS电容上面可以加上一层MIM电容,电容面积比更高。
对于低频电路,如果排除工艺制造上的问题,如果单纯从寄生角度来考虑,Miller电容下面也可以放的电路的。
发表于 2011-8-17 16:59:41 | 显示全部楼层
呵呵 我也碰到了同样的问题
我目前是没有理会fourndry的rule(问了他们,没有得到什么有用的信息),直接把MOS放在MIM电容下面

芯片测试了,性能还都OK。就是不知道对Yield会不会有影响
发表于 2014-4-30 14:01:14 | 显示全部楼层
可以啊。电感下面都可以放。呵呵。正是:人有多大胆,地有多大产。
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