在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 12855|回复: 3

[原创] 双端口RAM的问题

[复制链接]
发表于 2011-8-1 11:44:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
双端口RAM同时对同一地址读写,两个输入时钟是同频同相位,那么这个时候会不会造成RAM的读写冲突?要在设计当中避免这种情况?芯片综合之后的netlist关掉timing check仿真功能正确,发现此时读出的值是该地址上次写入的值而非同时写入的值,但是PR之后的post-sim时候,由于在RAM的仿真文件当中有关于两个clk跳变沿不能相距太近的(3ns)检查,所以此时读出的数据为X,那么真实的RAM是如何处理这种情况的?
发表于 2011-8-2 13:00:22 | 显示全部楼层
一般都是不允许这样做的。不过如果是通过IP产生的RAM,好像有对这种处理的设置,是先写再读,还是先读再写,印象中是有这个的,你可以看看相关RAM IP的数据手册。
发表于 2011-8-16 13:40:39 | 显示全部楼层
楼上说的很对,有三种方法是控制这类事情的发生的,除了先读后写、先写后读,还有加入延迟。
发表于 2016-6-14 10:13:07 | 显示全部楼层
thanks a lot
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-20 18:25 , Processed in 0.036772 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表