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[原创] pad的ESD问题?

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发表于 2011-7-26 21:31:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我在画版图中,画pad的esd时,我发现有的是将mos管的GS连在一起,还有的是直接将栅极拿掉,我发现两者构成的都是二极管连接,求教两种画法有什么区别,那种做ESD效果好点?
发表于 2011-7-26 21:41:25 | 显示全部楼层
“还有的是直接将栅极拿掉”
能否在详细描述?
发表于 2011-7-27 02:08:49 | 显示全部楼层
楼主应该说的是Diode 吧。。。。。。。。。。。
发表于 2011-7-27 11:46:25 | 显示全部楼层
直接将栅拿掉?你说的是场效应管吧!
发表于 2011-7-27 15:18:23 | 显示全部楼层
MOS的GS连接就是DIODE连接,两者效果完全一样。
 楼主| 发表于 2011-7-28 08:54:35 | 显示全部楼层
回复 2# andyjackcao


    我的意思就是正常的MOS场效应管,把它的栅和下面的有源区拿掉,做成的二极管连接。
 楼主| 发表于 2011-7-28 08:55:51 | 显示全部楼层
回复 4# wesley_wan


    是的
发表于 2011-7-28 09:37:16 | 显示全部楼层
个人觉得相同面积下,GS连接的mos ESD效果更好。
发表于 2011-7-28 21:19:57 | 显示全部楼层
我上次见到个esd管,用nmos gs连接一起的,还在靠近漏极旁做个P+注入在连到Gate,我问别人说是在上面在加多个二极管,不过不知有什么用,有没那个大侠知道的啊?跪求解释啊
发表于 2011-7-28 22:01:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 andyjackcao 于 2011-7-28 22:04 编辑






1), 对于GS连接形式的NMOS管与正常的场效应管,都可以利用其击穿骤回特性来做ESD保护器件。
2),在版图风格上,应该是一致的;具体到尺寸问题应该有所差异
3)  ,ESD效果:不知。(根据TLP测试结果才能得到结论)
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