低功耗管子尺寸的问题

jiang_shuguo · 发表于 2011-7-12 16:18:06

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电流很低时（如60nA），仍要保持饱和工作，这样会出现W/L=1/10的比例，我知道这会引起窄沟道效应，出了这个以外，还会有什么不良影响么？有谁做过低功耗芯片（模拟的）的反相设计？别人（大公司）也这么做么？

cutezero · 发表于 2011-7-12 17:26:29

首先，L=10是长沟，没有短沟效应，只是这种比例的管子匹配稍差（相比10/1)。
其次，你电流这么小，如果W/L不够小，管子有可能进入亚阈值区。

过路心客 · 发表于 2011-7-12 18:10:41

楼主说的是窄沟，不是短沟。
1/10的尺寸并不夸张，电流镜为了得到很好的匹配，需要大的Vgs，取1/10也是正常的。要看什么工艺，对于0.18um或更小尺寸工艺，w=1um也不是很小了，窄沟效应有那么严重吗？这个我不清楚。
60nA电流容易受噪声和干扰的影响，这在仿真中很难看出来，实际效果还要看流片的结果。