后端面试--每日一题（048）

522526tl

回复 7# joemool
版主 我觉得16楼说的正确；这是我从lib中拿出来的一个反相器：

cell(HDR_IN_1) {
  area :  0.840000 ;
  cell_footprint : IHCF_HDR_IN ;

    leakage_power() {
      related_pg_pin : "VDD" ;
      when : "!I" ;
      value : "4.8471e-05" ;
    }

    leakage_power() {
      related_pg_pin : "VDD" ;
      when : "I" ;
      value : "4.7672e-05" ;
    }
可以看出当输入为0的时候漏电流比输入为1的时候漏电流大，这是因为：
泄漏电流分为四大部分，而其中主要的是亚阈值漏电流，而亚阈值电流是与迁移率成正比的，所以，在输入0的时候NMOS管的亚阈值电流比输入为1的时候PMOS管的亚阈值漏电流大，即导致leakage_power在输入0时比输入1时候大

tonyhard

高深的问题，学习继续。

atianone

钉钉顶

Yellowfly_1

   

dongkai1003 发表于 2011-7-22 17:09
回复 8# 陈涛

静态功耗不就是看泄漏电流产生的功耗吗