手机号码,快捷登录
找回密码
登录 注册
举报
MOS gate上会因为天线效应收集电荷,在制造过程中会击穿Gate,因此往往增加一个方向二极管到衬底(方向二级 ... huntzxs 发表于 2011-6-28 14:46 登录/注册后可看大图
对于厚氧工艺,往往选用NSD/P型外延层泄露器。这种结构本质上是一个阴极连接金属节点,阳极连接衬底的二极管。如果节点电位降到衬底电位以下,则泄露器正向导通,并箝住电压,如果节点电位上升超过衬底电位,则NSD/P型外延层会先于厚氧损坏前发生雪崩击穿。
本版积分规则 发表回复 回帖后跳转到最后一页
查看 »
小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2024-5-24 02:49 , Processed in 0.029845 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.