gm随频率的变化

twfly

回复 8# a104842708


    为什么会没呢？你的最高工作频率与低频跨导和寄生电容有关系哟。而你推导公式到最后你会看到你的最高工作频率与你的迁移率，过饱和电压，和沟道长度有关系的。每个mos管都有最高工作频率的。

twfly

还有就是，你可以写出你的MOS管的交流D端电流公式，你就看出了随着频率增加为什么你电流会增大了。

twfly

也就是9楼说的东西

a104842708

回复 9# lihaixi


    根据这幅图说说的只有栅源之间的那个电容上的电压才被转化为漏电流，而频率增加电容上的压降变小，那么根据ids=gm*vc的话，ids也是减少的啊

a104842708

可不可以当成当频率变高的时候，交流漏电流一部分是流过Cgd了，而且这部分还比较大，所以导致漏电流变大了

hezudao

回复 15# a104842708


    exactly

zhujihan

我认为，在一般的晶体管的分析过程中，没有考虑gm会随频率变化。
晶体管的极限频率：gm/（2π*Cgs）。在这里gm应该视为与频率无关的constant吧。
gm之所以会在Vgs信号为超高频时下降，是由于器件沟道的反型层跟不上Vgs的变化，Id自然也跟不上Vgs的变化。