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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 关于MOS的栅长和阈值电压的关系
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楼主: cc1405

[求助] 关于MOS的栅长和阈值电压的关系

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iamshan
发表于 2012-6-9 18:10:51 | 显示全部楼层
回复 20# sudezhao

假设channel length 从 0 到 10 um，  VT变化规律一般是从0~1um，随着L增大，VT增大，这主要是short channel effect在起作用；
随着L继续增大，VT逐渐减小，然后基本不变，这主要是reverse-short channel effect在起作用。
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jr3749352123
发表于 2013-1-23 10:28:43 | 显示全部楼层
xuexixuexi
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cyl
发表于 2013-1-23 11:03:44 | 显示全部楼层
学习了……
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treey
发表于 2014-4-9 10:44:07 | 显示全部楼层
正好解决了我的困惑
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zixi_2012
发表于 2014-4-10 16:03:06 | 显示全部楼层
学习了
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beyond某人
发表于 2014-9-4 11:09:02 | 显示全部楼层
回复 21# iamshan


   good
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windwithgone
发表于 2014-9-6 13:15:55 | 显示全部楼层
回复 18# byd306

halo implantation: large angle implantation, to avoid S/D punch-through
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林厅子
发表于 2015-12-8 23:29:13 | 显示全部楼层
这个问题我也刚碰到，纠结很久，一直没有解决。老师叫我看BSIM3v3参数，不过也没弄懂。如果有好的分析方法，求分享下
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梦想天空123
发表于 2016-5-3 23:42:53 | 显示全部楼层
学习了
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aicman
发表于 2018-3-20 00:52:30 | 显示全部楼层
学习来了。
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