在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4291|回复: 6

[求助] 哪位牛人过来解释一下3-D三栅极晶体管技术

[复制链接]
发表于 2011-6-14 06:40:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题:3-D三栅极晶体管技术具体强在什么地方
发表于 2011-7-23 09:50:41 | 显示全部楼层
关注下,期待答案
发表于 2011-7-25 09:27:01 | 显示全部楼层
集成度更高,漏电更小。
具体直接goolge,baidu咯
发表于 2011-7-27 15:25:26 | 显示全部楼层
不清楚,这个问题希望牛人来解决。
3G GATE是未来的趋势啊
发表于 2012-4-16 18:45:54 | 显示全部楼层
亚阈值比摆幅更小,栅控能力增强,通态电流和关态电流更大,漏电流小,有效宽长比增大,同样栅压下电流更大
发表于 2012-4-17 09:50:46 | 显示全部楼层
the difference between 3D gate and FinFET
发表于 2012-4-18 11:03:14 | 显示全部楼层
那以前說單電子FET  VS  3D IC?

除了 intel 其他家有能力做到嗎??
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-13 01:34 , Processed in 0.039779 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表