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[求助] 哪位牛人过来解释一下3-D三栅极晶体管技术

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发表于 2011-6-14 06:40:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题:3-D三栅极晶体管技术具体强在什么地方
发表于 2011-7-23 09:50:41 | 显示全部楼层
关注下,期待答案
发表于 2011-7-25 09:27:01 | 显示全部楼层
集成度更高,漏电更小。
具体直接goolge,baidu咯
发表于 2011-7-27 15:25:26 | 显示全部楼层
不清楚,这个问题希望牛人来解决。
3G GATE是未来的趋势啊
发表于 2012-4-16 18:45:54 | 显示全部楼层
亚阈值比摆幅更小,栅控能力增强,通态电流和关态电流更大,漏电流小,有效宽长比增大,同样栅压下电流更大
发表于 2012-4-17 09:50:46 | 显示全部楼层
the difference between 3D gate and FinFET
发表于 2012-4-18 11:03:14 | 显示全部楼层
那以前說單電子FET  VS  3D IC?

除了 intel 其他家有能力做到嗎??
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