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查看: 4948|回复: 9

[求助] 带有位使能信号的memory的mbist

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发表于 2011-5-12 23:04:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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碰到一个带有位使能信号的memory,想做他的mbist
在写memory model的时候,片选使能和写使能很好写,就是
chip_enable cen low;
write_enable wen low;
但是申明位使能信号的时候不知道该怎么搞了,而且这个信号还不止一位
望高手指点
发表于 2011-5-13 11:25:31 | 显示全部楼层
位写使能也可以在memory model里声明的.新版本的mbistarchitect还有相对与位写使能的算法.
 楼主| 发表于 2011-5-14 13:01:51 | 显示全部楼层
回复 2# qingwatiaowu


    请问应该怎么声明,不知道怎么写啊
发表于 2011-5-14 19:50:35 | 显示全部楼层
回复 1# xiangql


    謝謝分享
发表于 2011-5-15 10:55:45 | 显示全部楼层
就是就是在model里将其位宽书写出来,形式跟address、data一样,只是后边要注明low | high。

我的印象中是这样的,很久没接触了,细节没法说明。看看user guide最好了。
 楼主| 发表于 2011-5-15 15:15:08 | 显示全部楼层
回复 5# qingwatiaowu


    额。我手上有的user gd都没介绍这部分内容,不知道哪能找到啊?
发表于 2011-7-7 18:31:17 | 显示全部楼层
如果不在user guide里,那就是在referrence manual里有介绍.记不请啦
发表于 2011-7-15 15:49:58 | 显示全部楼层
位使能也属于write_enable 信号,只不过需要具体定义出write_enable_map到的具体D端是哪个。
发表于 2012-5-20 21:39:28 | 显示全部楼层
恩,对照document
发表于 2019-9-27 14:44:46 | 显示全部楼层
楼主后来问题解决了么?是怎么写的?我现在也遇到相同的问题
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