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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 一种ldo补偿技术的讨论
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楼主: superspy007

[讨论] 一种ldo补偿技术的讨论

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yh_2007
发表于 2013-12-19 14:51:06 | 显示全部楼层
不错啊
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tStone
发表于 2017-12-14 11:23:07 | 显示全部楼层
谢谢各位
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122013137
发表于 2017-12-14 23:30:53 | 显示全部楼层
输出极点增大的倍数可能因为通路上的不同会增大两个器件的gm*ro
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jiangnancai
发表于 2017-12-15 10:19:32 | 显示全部楼层
回复 1# superspy007


   这种补偿有啥特殊好处？
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microuser
发表于 2020-5-7 17:13:30 | 显示全部楼层
谢谢分享
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jeffej
发表于 2021-6-8 15:59:32 | 显示全部楼层
very good paper, tanks sharing
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microuser
发表于 2021-9-18 15:28:26 | 显示全部楼层
谢谢分享
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trumen
发表于 2021-9-18 17:47:16 | 显示全部楼层
这个可以看做时SR增强电路，用在cap-less LDO中。
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lan8686yan
发表于 2022-5-2 22:56:47 | 显示全部楼层
XUEXIXUEXI.....
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鹅鹅ee
发表于 2023-12-2 16:25:39 | 显示全部楼层
thanks
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