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[求助] 寻求文献“IEEE,EDL vol.23,Issue:4 P212-214, 2002”

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发表于 2011-5-3 16:09:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 jiangbing1975 于 2011-5-3 16:11 编辑

《A double RESURF LDMOS with drain profile engineering for improved ESD robustness》
This paper appears in: Electron Device Letters, IEEE
Issue Date: Apr 2002
Volume: 23 Issue: 4
On page(s): 212 - 214
ISSN: 0741-3106
INSPEC Accession Number: 7234929
Digital Object Identifier: 10.1109/55.992842
Date of Current Version: 07 八月 2002
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