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[讨论] tsmc.18工艺MOS管参数

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发表于 2011-4-15 19:58:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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tsmc.18工艺MOS管计算电流公式时Un*Cox怎么求啊
发表于 2011-4-15 20:36:13 | 显示全部楼层
Cox=氧化层介电常数ε/氧化层厚度tox
氧化层介电常数=真空介电常数ε0×氧化层相对真空的介电常数εr=ε0=8.85*10^-12 法拉/米(F/m) ×3.9
电子迁移率Un,氧化层厚度tox可查看工艺库文件
 楼主| 发表于 2011-4-15 21:53:20 | 显示全部楼层
回复 2# icdreamer


谢谢大哥!!!!!
发表于 2013-5-25 11:11:50 | 显示全部楼层
谢谢,学习了
发表于 2013-11-22 09:56:52 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2013-11-22 10:08:44 | 显示全部楼层
学习了!我想知道tox,μn具体查看那个库文件能查到。。。。
发表于 2013-11-22 12:54:23 | 显示全部楼层
model/hspice
打开模型文件找到NMOS管的模型定义,看U0即迁移率,看TOX知道栅极氧化层厚度然后可计算得知COX。
顺便说一下TSMC为了精确地描述器件特性,使用类似分段函数的办法,不同尺寸范围的管子使用不同的模型。
另外迁移率U和栅极氧化层厚度TOX都不是常数,都是在一定工艺范围内有一定偏差的。

手算只能估算了。可以在Cadence里画一个晶体管,然后用不同的VGS、VDS扫描打出一张图。
然后保存下来,为以后设计之用。此为工程之办法。
发表于 2016-4-15 13:50:28 | 显示全部楼层
谢谢楼主
发表于 2016-5-13 15:57:53 | 显示全部楼层
感谢指点
发表于 2016-8-5 19:06:40 | 显示全部楼层
请问tsmc.18工艺MOS管的沟道长度调制系数、体效应系数、闪烁噪声系数等工艺参数该怎么得到?
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