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楼主: cll412121

[讨论] tsmc.18工艺MOS管参数

[复制链接]
发表于 2016-10-7 21:08:37 | 显示全部楼层
回复 1# cll412121


   tsmc18rf的工艺文件,LZ可否发我一份luilanghai@qq.com
发表于 2019-10-29 16:54:13 | 显示全部楼层


02015678 发表于 2013-11-22 12:54
model/hspice
打开模型文件找到NMOS管的模型定义,看U0即迁移率,看TOX知道栅极氧化层厚度然后可计算得知CO ...


工厂给的模型是分段函数参数,问题是每段函数对应管子的哪种工作状态?饱和区对应哪段函数?
发表于 2020-11-7 15:31:58 | 显示全部楼层
tsmc18rf的工艺文件,LZ可否发我一份434429624@qq.com
发表于 2021-7-7 09:24:42 | 显示全部楼层


02015678 发表于 2013-11-22 12:54
model/hspice
打开模型文件找到NMOS管的模型定义,看U0即迁移率,看TOX知道栅极氧化层厚度然后可计算得知CO ...


学习
发表于 2021-7-7 09:37:02 | 显示全部楼层


lizy369 发表于 2013-11-22 10:08
学习了!我想知道tox,μn具体查看那个库文件能查到。。。。


在根目录下面的model文件中查看
发表于 2023-11-12 10:47:07 | 显示全部楼层


icdreamer 发表于 2011-4-15 20:36
Cox=氧化层介电常数ε/氧化层厚度tox
氧化层介电常数=真空介电常数ε0×氧化层相对真空的介电常数εr=ε0=8 ...


感谢解惑
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