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查看: 4057|回复: 5

[求助] SDRAM交错式预充电

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发表于 2011-3-22 09:53:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教一下,SDRAM整页读写模式下,
1.读操作时同一行不同bank之间切换,比如从bank0-bank1,然后从bank1-bank2,从bank2-bank3,需要预充电吗?如果不需要预充电,提前给出的active命令会影响数据总线上的输出吗?可以提供详细的时序图的吗,文档上只有auto precharge时的时序图,而整页操作不能自动预充电,时序上有不一样的地方吗?
2.写操作时同一行不同bank之间切换,比如从bank0-bank1,然后从bank1-bank2,从bank2-bank3,需要预充电吗?bank0写完到激活bank1需要tWR写入延迟吗?可以提供详细的时序图的吗?
万分感谢!!!
 楼主| 发表于 2011-3-22 20:45:28 | 显示全部楼层
求高手指点啊!!!
自己顶起!!!
 楼主| 发表于 2011-3-23 08:37:12 | 显示全部楼层
继续在线等,高手请指点一二啊
发表于 2012-10-4 10:51:25 | 显示全部楼层
也对这个有兴趣,一年多了竟然没人回答。
发表于 2012-10-4 19:06:58 | 显示全部楼层
不需要,bank间操作是独立的
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