SDRAM交错式预充电

enderborns · 发表于 2011-3-22 09:53:51

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请教一下，SDRAM整页读写模式下，
1.读操作时同一行不同bank之间切换，比如从bank0-bank1，然后从bank1-bank2，从bank2-bank3，需要预充电吗？如果不需要预充电，提前给出的active命令会影响数据总线上的输出吗？可以提供详细的时序图的吗，文档上只有auto precharge时的时序图，而整页操作不能自动预充电，时序上有不一样的地方吗？
2.写操作时同一行不同bank之间切换，比如从bank0-bank1，然后从bank1-bank2，从bank2-bank3，需要预充电吗？bank0写完到激活bank1需要tWR写入延迟吗？可以提供详细的时序图的吗？
万分感谢！！！

enderborns · 发表于 2011-3-22 20:45:28

求高手指点啊！！！
自己顶起！！！

enderborns · 发表于 2011-3-23 08:37:12

继续在线等，高手请指点一二啊

eslab · 发表于 2012-10-4 10:51:25

也对这个有兴趣，一年多了竟然没人回答。

Timme · 发表于 2012-10-4 19:06:58

不需要，bank间操作是独立的

[求助] SDRAM交错式预充电

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