带隙基准电路求解

zouyufeng · 发表于 2011-5-26 21:42:15

为啥不这么看呢？
q3和q4是做level shift用的。cd两点等电位。运芳的输入端是Va=Vc+Vbe。
elantra 发表于 2011-3-21 23:28

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这个是正解！

这个电路是由两部分合成的！
一个是与电源电压无关的电流源
一个是bandgap
它们合在一起，起到了两个bjt级联，做二极管的作用！

chenxiaoming · 发表于 2011-5-27 12:52:21

vt=26mv(常温) 是热电压

烽火狼人 · 发表于 2011-6-6 20:24:46

vt=KT/q跟温度有关的一个值。

jamesccp · 发表于 2011-8-9 19:56:25

正常工作的话，应该 A=B , C=D , Q3/Q4是电平转移,
如果没有R2, 所以需要VBE3=VBE4.
因为M2=M3, 所以 IQE3 = IQE4, IQB3 = IQB4 .
但 Q3 和 Q4 数量比是 1：8 , VBE 不同，所以需插入R2, 维持 V(A,C)=V(B,D) 。
照此分析，应该是 Q3

4 = 8:1 ，或者 R2 放在 C 和 QB4 之间才对啊？

940202000 · 发表于 2011-8-13 09:41:57

感觉这种结构是为了产生两倍的（Vbe1、3-Vbe2、4），R2应该是和R3匹配以平衡两倍的关系其他的小弟也就不太懂了

lsts1211 · 发表于 2012-8-21 16:58:33

为什么我觉得R2 应该放在 C 和Q4的BASE之间呢。。。难道我分析错了！

仁者成佛 · 发表于 2012-8-27 17:27:36

看了上面的分析，我认为R2用来高阶温度补偿是对的！！
   首先，这个基准可以把C和D直接接op，当然，这就只有一阶；
   然后，如果Q3和Q4是1：1，则没必要加R2，也可以高阶补偿，但是补偿不具有可调性：
   因此，把Q3和Q4设置为1：8，两个源跟随器，因为电压A=B，Q3基极必须加一个电阻R2才能使得C=D（这里要看清楚这是PNP，电流从基极流出！），而且，电阻R2可用来调节高阶温度补偿。
以上是我的想法，不对请指正~

xnor · 发表于 2012-10-6 18:03:21

回复 7# zcg0696

Q3,Q4是射随结构，应该不是构成运放而是起电平转换作用吧，A，B两端本身由于运放箝位而电位相同，由于Q3，Q4的集电极电流相同，Q4发射极面积更大，因而Vbe4较小，Q4 的基极电位高于Q3的基极电位，因此需要利用R2使D点相对Q3的基极有个升压以保证，C，D两点电位相同，才能保证产生带隙的PNP对管集电极电流基本相同且带隙电压完全被R3消耗，个人理解，不对请指正

带隙基准电路求解

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