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[求助] cworst and rcworst区别

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发表于 2011-3-14 16:59:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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哥儿们最近在学习PR,碰到关于corner的问题,请教各位大侠:
tsmc 90nm ,foundry提供的tlu+文件共有五个corner,cbest, cworst, rcbest, rcworst and typical
我想问一下cworst and rcworst的主要区别是什么?
从字面的理解来看,似乎一个有R,一个没有R
发表于 2011-3-14 17:13:46 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2011-3-14 17:31:30 | 显示全部楼层
那岂不是rcworst比cworst更准确,cworst存在的意义是什么?难道仅仅为了降低runtime?
发表于 2011-3-15 10:03:41 | 显示全部楼层
你可以具体看看  itf/tluplus的文件, 里面有具体的R、C信息

我的字面理解是 rcworst比cworst 电阻要更大, 所以对delay增加更大,
 楼主| 发表于 2011-3-15 14:01:32 | 显示全部楼层
研究了一下itf,rcworst确实比cworst的电阻大,但电容却比cworst小。
所以RC并不能保证哪个corner大,不知道哪位大侠可以告诉我,究竟是PR时就将rcworst and cworst都分析一遍呢(analysis of setup time),还是PR只选一个,而signoff时将这些corner都PT一下?
发表于 2011-3-15 14:15:18 | 显示全部楼层
这个看flow了,有的公司喜欢MCMM , 所有signoff corner都和PR 一样,

有的只看重signoff, PR的时候选一个就行

不管哪种,只要最后全部signoff即可,
发表于 2011-3-16 07:41:55 | 显示全部楼层
全在这里胡说八道,不懂的别瞎说,误导人。
我发过这样子的帖子,提到过这个问题。
 楼主| 发表于 2011-3-16 09:16:41 | 显示全部楼层
在哪里?多谢
发表于 2011-3-19 12:53:52 | 显示全部楼层
Cworst 应该cell worst,RCworster应该是金属线的worst.
发表于 2012-10-22 15:01:58 | 显示全部楼层
同问,一年多了也没人回答
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