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[求助] leakage power的数量级大概多大

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发表于 2011-3-8 20:38:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看到好多论文里对leakage power的数量级一般是几百uw(TSMC 90nm 电路:16*16乘法器),而我自己用synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。怎么会相差这么大啊?
大家有没有测过leakage power?大概多少?
占总功耗比例大不????
 楼主| 发表于 2011-3-8 20:41:09 | 显示全部楼层
ddddddddddd
自己顶下。。。
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发表于 2011-3-9 08:45:30 | 显示全部楼层
I also need to know it
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发表于 2012-3-8 21:39:59 | 显示全部楼层
re,同想知道,不是号称65nm一下leakage可能占到总功耗的30%以上么?

我用dc报出来的leakage要比internal和switching小很多,几乎是十分之一的样子,tt corner下

有人说ml corner下leakage很大,但ml corner 根本就不会存在,有什么意义呢?
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发表于 2012-3-9 23:56:31 | 显示全部楼层
要看你用的那种cell,90nm已经有分low-vt和high-vt的cell了,leakage相差本来就很大了
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发表于 2012-3-10 23:32:57 | 显示全部楼层
不同的工艺漏电是不同的,但是越小的工艺应该漏电越大。。。
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发表于 2012-3-11 08:39:31 | 显示全部楼层
有一个基本的参数,就是0.13微米 G工艺下,25平方毫米的设计,leakage power在1mA以内。
“synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。”
楼主的结果应该问题不大,因为16x16的乘法器本身占用不了多少gate。
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发表于 2012-4-6 23:57:18 | 显示全部楼层
good book...thx...
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