leakage power的数量级大概多大

hxfwdzx · 发表于 2011-3-8 20:38:11

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看到好多论文里对leakage power的数量级一般是几百uw(TSMC 90nm 电路：16*16乘法器)，而我自己用synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。怎么会相差这么大啊？
大家有没有测过leakage power？大概多少？
占总功耗比例大不？？？？

hxfwdzx · 发表于 2011-3-8 20:41:09

ddddddddddd
自己顶下。。。

mtwumtwu · 发表于 2011-3-9 08:45:30

I also need to know it

doonny · 发表于 2012-3-8 21:39:59

re，同想知道，不是号称65nm一下leakage可能占到总功耗的30%以上么？

我用dc报出来的leakage要比internal和switching小很多，几乎是十分之一的样子，tt corner下

有人说ml corner下leakage很大，但ml corner 根本就不会存在，有什么意义呢？

shuli198349 · 发表于 2012-3-9 23:56:31

要看你用的那种cell，90nm已经有分low-vt和high-vt的cell了，leakage相差本来就很大了

14425324 · 发表于 2012-3-10 23:32:57

不同的工艺漏电是不同的，但是越小的工艺应该漏电越大。。。

yinchyang · 发表于 2012-3-11 08:39:31

有一个基本的参数,就是0.13微米 G工艺下，25平方毫米的设计，leakage power在1mA以内。
“synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。”
楼主的结果应该问题不大，因为16x16的乘法器本身占用不了多少gate。

eekevin25 · 发表于 2012-4-6 23:57:18

good book...thx...

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