65nm下电容的失配问题

zfmdcy · 发表于 2011-4-11 15:21:10

高手过招。。

燕园枫叶 · 发表于 2011-4-12 16:46:36

学习了

sxzong_hit · 发表于 2011-4-13 00:35:12

路过，学习了~~~

pigkiller · 发表于 2011-4-13 09:23:42

一般都是用等宽度金属层吧，很少用不同宽度的，通孔不好打。

leoraja · 发表于 2011-7-23 05:37:45

Thanks guys

fengxinzi313 · 发表于 2013-8-26 13:38:16

回复 9# duling653

请问下这种结构的电容在LVS验证的时候可以识别吗？我现在反向一款TSMC的SAR ADC 网表里面没有电容但是LVS 验证成功，所以很奇怪。。求指导

stealingling · 发表于 2013-8-26 19:11:55

到底是mim电容的匹配好还是mom的匹配好啊，都搞糊涂了。

ygchen2 · 发表于 2013-8-27 05:29:01

到底是mim电容的匹配好还是mom的匹配好啊，都搞糊涂了。
stealingling 发表于 2013-8-26 19:11

登录/注册后可看大图

两种电容的匹配决定因素不同，MOM更多决定于光刻精度，MIM更多决定于介质均匀性。对于大面积可能MOM会好些，小面积可能MIM会好些，大致可以作为guideline。

gchucheng · 发表于 2014-5-15 11:25:36

受益匪浅啊。谢谢

peterlin2010 · 发表于 2014-5-15 12:04:26

回复 49# gchucheng

那同樣電容下 mos cap v.s.  MIM ?

以前 simulation 0.25um 2.5v process
nmos電容 5 corner ..先考慮 signal > Vth .. 在去跑 mim 電容 . 我是跑 oscillator 看 clock 變化多大去判斷 .
使用 mos電容 simulation 比 MIM 好..
是否是因為要達到同樣電容下,  MIM  area >  nmos Cap .

另格問題是高壓  電容 60V BCD ..看過有人使用METAL 間的電容當高壓電容. 不過容值很小 .

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