在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 6046|回复: 12

[讨论] 请教 这个电路图中的 vout1 vout2的变化趋势

[复制链接]
发表于 2010-12-14 15:07:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 chengjiao 于 2010-12-14 16:06 编辑

对如下这个电路图1,当Vb高于所希望的值时,M1和M2的尾电流将增加,
那么共源共栅支路的电路将降低啊,那么vout1和vout2将提高,那么共模电平将增加啊。

图1

图1

                图1

但是书上怎么说是:当Vb高于所希望的值时,M1和M2的尾电流将增加,输出共模电平将下降呢?


对于如下图2,所说的恢复共模电平又该怎么理解呢?

图2

图2

          图2
发表于 2010-12-14 15:44:04 | 显示全部楼层
大哥,图呢?怎么看不见
 楼主| 发表于 2010-12-14 16:02:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 chengjiao 于 2010-12-14 16:03 编辑

回复 2# fishbone53


    啊 不好意思 我重新发一张

图1

图1

        图1

图2

图2

         图2
发表于 2010-12-14 20:18:51 | 显示全部楼层
我感觉这两个电路说的都是同一个原理吧。
第一个图,VB上升,M1和M2的尾电流将增加,和VDD较近电流源的电流更地分到了M1,M2支路,输出共源共栅支路电流减小,所以共模电压减小,使得M7,M8电流减小,VB控制的管子电流减小,可能会进入线性区,再反馈到输出支路这边,使输出共模电压上升。
第二个图,若Vout共模电压上升过高,使输入对管尾电流上升,从而输出支路电流减小,使得输出共模电压Vout有所下降。

这两个变化都是在一个动态过程。
发表于 2010-12-14 20:21:51 | 显示全部楼层
折叠点处,根据基尔霍夫定律,当M1,M2电流增大时,另外两路总电流肯定是减少的。当所有管正常工作时,折叠点处上面的两管的电流本身因为其他两路电流之和(甚至大于这个值,一般为尾流的1.2~1.5倍)

所以,减小的应该是折叠点向下的电流。我是这么理解的。
 楼主| 发表于 2010-12-15 08:40:12 | 显示全部楼层
回复 4# ziyuemusic


   我发现一个很有意思的推论,
  1。针对上面的PMOS而言: M5 和 M6的漏电流减小,那么M5 M6管的Vsd将减小,那么Vout1 Vout2将增大;
  2。 针对下面的NMOS而言:M5 和 M6的漏电流减小,那么NMOS两端的Vds减小,最总Vout1 Vout2将减小;
这两者怎么是矛盾的啊
发表于 2010-12-15 20:59:24 | 显示全部楼层
回复 6# chengjiao


   照你这么一说,我仔细算了下,感觉确实存在你所指出的矛盾:共源共栅支路电流减小时,PMOS会将VOUT上拉,NMOS会把VOUT下拉。我感觉有没有可能是因为下面两个NMOS的下拉能力明显强于上面一个PMOS的上拉能力(通过计算是这样),而导致VOUT最终体现出下降的现象呢?
发表于 2010-12-15 23:17:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 guang3000 于 2010-12-15 23:18 编辑


回复  ziyuemusic


我发现一个很有意思的推论,
  1。针对上面的PMOS而言: M5 和 M6的漏电流减小,那么M5 M6管的Vsd将减小,那么Vout1 Vout2将增大;
  2。 针对下面的NMOS而言:M5 和 M6的漏电流减小,那么NMOS两端的Vds减小,最总Vout1 Vout2将减小;
这两者怎么是矛盾的啊chengjiao 发表于 2010-12-15 08:40




下面的NMOS是电流源,而M5 , M6的源端电压不是固定的,M5 M6的电流减少,M5的源极电压下降,漏极电压也同时下降
 楼主| 发表于 2010-12-16 08:41:45 | 显示全部楼层
回复 8# guang3000


    如果Vout1和Vout2都上升,那么NMOS输入对的尾电流增加,那么单个NMOS对的漏电流也增加,再进一步NMOS对的漏电压即M5 M6的源电压上升啊。
 楼主| 发表于 2010-12-16 08:45:48 | 显示全部楼层
回复 7# ziyuemusic


    不明白到底该怎么解释?你要是继续往深的推,会发现更多的问题。因为NMOS对的尾电流增加,那么单个NMOS的漏电流增加,那么NMOS对的源端(假设为P点)Vp就会下降(根据Id=1/2*Un*Cox*(W/L)(Vin-VP-Vthn)2)
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-6-22 12:31 , Processed in 0.027161 second(s), 11 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表