紧急求助：工艺角分析：不同工艺角下面，仿真结果有较大差距，这是怎么回事啊

xuyanyan141 · 发表于 2010-10-28 10:57:36

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不同工艺角下面，仿真结果有较大差距，这是怎么回事啊

xuyanyan141 · 发表于 2010-10-28 11:44:19

顶！！！！！！！！！

jyhking · 发表于 2010-10-28 21:17:42

thxxxxxxxxxxxxxxxxxxx

zhengsheng · 发表于 2010-10-28 22:33:35

这是当然，对应不同的器件参数，见razavi吧

caichaobo · 发表于 2010-10-29 10:37:04

求高人解答

xuyanyan141 · 发表于 2010-10-29 11:12:51

回复 4# zhengsheng

书我也看了，可是内容很少啊，讲解不详细的啊

nero007 · 发表于 2010-10-29 13:33:56

也想知道

iiiiisland · 发表于 2010-10-29 14:59:34

因为电容电阻和mos器件由于制造工艺的偏差器件参数会有变化，一般是+-20%，在不同的温度下电子迁移率也不一样，电容电阻也与温度有关，所以不同工艺和温度仿真出来的结果会有偏移。具体的各种参数变化可以看所采用的工艺库。

xuyanyan141 · 发表于 2010-10-29 19:52:48

谢谢哈谢谢

敬山一休 · 发表于 2022-5-6 10:36:53

可能是你的静态工作点很极限导致的

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