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楼主: zhongbo1127

[求助] 高手 菜鸟都来讨论讨论 纵向和横向三极管的区别和设计选择。

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发表于 2011-8-23 18:27:37 | 显示全部楼层
我觉得先得看厂家文档吧
发表于 2012-10-5 12:13:02 | 显示全部楼层
这种问题还是一定要顶滴
发表于 2012-10-7 05:41:58 | 显示全部楼层



1.2v的可能会有可靠性问题如果设计注意不够的话。面积大的匹配好,如果你做的细,需要考虑,电流密度,那么同样电流密度,大管子需要电流多。
发表于 2012-10-7 14:03:16 | 显示全部楼层
精彩。。。
发表于 2013-9-17 10:49:48 | 显示全部楼层
http://wenwen.soso.com/z/q247534650.htm?sp=2001这个有讲一些,大家看下,一起讨论讨论
发表于 2015-4-23 10:03:42 | 显示全部楼层
不能就这么沉了,顶起来,求解答
头像被屏蔽
发表于 2015-4-23 21:47:30 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2015-4-24 15:48:12 | 显示全部楼层
CMOS里面的V PNP是寄生做出来的, 不是专门给它mask做的,beta指标很差(基区太宽了,E/B的浓度差别不够大),肯定不会用于放大,也不会用于开关管(因为IB很大,浪费功耗),用于BGR,主要是利用其VBE的温度特性,对beta等指标不在乎。
   如果要用NPN/PNP做运放之类的,肯定还是bimos工艺才可以。
   BGR里面,用1.2/3.3V, 应该都可以,就看你的电源了,10*10,5*5就看你的layout和match性能,包括是否考虑输出基准的一致性了。
发表于 2017-5-19 16:23:32 | 显示全部楼层
就顶一顶吧,我也不懂
发表于 2020-5-16 23:46:26 | 显示全部楼层


哈拉拉小菜鸟 发表于 2013-9-17 10:49
http://wenwen.soso.com/z/q247534650.htm?sp=2001这个有讲一些,大家看下,一起讨论讨论 ...


这个里面关于横向纵向基区宽度讲错了,和版图艺术作者写的刚好相反
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