DC综合出三态缓冲区是否是错误！

Timme

首先，片内是可以有三态的，比如ARM的STD Cell里都会有“TBUF”这个三态缓冲，很多IP（Flash/SRAM）也会有三态的数据输出。

然后，三态线上接个保持单元（ARM的STD里叫HOLD），就可以消除大电流隐患，放心使用了。


有些火星的STD Cell（Verisilicon等）还会有片内上下拉的Cell，代替HOLD接在三态线上。

PS: 我还真没见过没三态缓冲的库。