请教下LNA中的ESD的问题！！！！

上海大学

decap对于高校来说比较贵

totowo

很多产品也不用片外元件的

跟zhukh探讨一下这个问题。
我知道您说的理论，我也看过。但是我以为，这些理论和数学推导都是建立在单一匹 ...
moorehuang 发表于 2010-10-7 16:39

                               
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totowo

insertion loss与Q值有关，一般片外元件的电感Q（20~40）比片上电感（8～10）高，但insertion loss也与匹配网络的Q值也有关，不能简单的说片外器件越多loss就越大。

你看到的产品上描述的片外元件未必就一定是匹配，也有可能是滤波。TX可能需要滤掉谐波（如果PA是非线性PA），RX可能需要加notch滤干扰信号。当然毕竟现在的趋势是尽量减少片外元件，做产品是尽量往这个方向努力的。

ESD影响LNA性能，前面有帖子说了多是diode，因此首先对线性度很可能有影响；而单纯看匹配的话，ESD寄生电容要取决于LNA本身的输入阻抗，如果LNA阻抗较大本身就需要并联电容，可以把esd电容包括进来，问题不大，但如果希望是并联电感，或者并联一个小电容，而由于esd寄生存在，会改变该点阻抗的Q值，从而影响到匹配网络的Q，是有可能影响到insertion loss和bandwidth的。。。。。所以一般越高的工作频率，LNA的输入阻抗本来就较低，再并联esd的寄生，阻抗就更低，匹配到50欧姆就不方便，esd带来的影响就越大。

回复 21# zhukh


一般片外做匹配用的电感和电容，Q都很大，寄生电阻很小，不会损失什么功率，因此insertion loss很小。
主要还是考虑集成度的考虑，片外器件不能太多。但是为了满足一定频率范围内的S11，工业上片外匹配器件一般都不止一个的。

我只是对ESD会造成LNA性能的影响这种说法比较疑惑。
我觉得在片外器件不止一个的情况下，尽管ESD引入的寄生电容，都可以匹配到想要的位置，因此我觉得对LNA性能的影响其实很小。

欢迎大家就此讨论！

moorehuang 发表于 2010-10-7 21:48

                               
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小小L

回复 17# fuyibin

对于您说的有个疑问，“在相同的面积下周长越大，防护效果越好，寄生电容越小”这句是不是有点问题？面积的大小难道不算PN结侧壁的面积么，叉指数多了之后侧壁的面积也大了，寄生电容也大了吧

小小L

为什么我们用JAZZ工艺5*8的二叉指ESD二极管才20多f（工艺手册上这样写的）,是我理解有问题吗

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没做过来学习下~