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楼主: 48713214

[原创] 请教下LNA中的ESD的问题!!!!

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发表于 2010-10-7 17:12:29 | 显示全部楼层
回复 19# moorehuang
只是讨论下,RF电路我不是专家
也许寄生电容大一点你可以做匹配把它吸收掉来满足input matching, 但是加的元器件越多,insertion loss也越大,insertion loss是直接加到整个系统的Noise Figure上面去的,总得trade-off, 可以这样分析吗?
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发表于 2010-10-7 21:30:11 | 显示全部楼层
Thanks for ESD .
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发表于 2010-10-7 21:35:36 | 显示全部楼层
Thanks for ESD.
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发表于 2010-10-7 21:48:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 moorehuang 于 2010-10-7 21:50 编辑

回复 21# zhukh


一般片外做匹配用的电感和电容,Q都很大,寄生电阻很小,不会损失什么功率,因此insertion loss很小。
主要还是考虑集成度的考虑,片外器件不能太多。但是为了满足一定频率范围内的S11,工业上片外匹配器件一般都不止一个的。

我只是对ESD会造成LNA性能的影响这种说法比较疑惑。
我觉得在片外器件不止一个的情况下,尽管ESD引入的寄生电容,都可以匹配到想要的位置,因此我觉得对LNA性能的影响其实很小。

欢迎大家就此讨论!
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 楼主| 发表于 2010-10-8 10:38:04 | 显示全部楼层
回复 24# moorehuang


    ESD 的寄生电容会增加LNA对匹配网络的敏感性,并且增加匹配网络里的噪声
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发表于 2010-10-8 11:08:56 | 显示全部楼层
回复 24# moorehuang

差不多一年前我写过一个文档,对带有ESD和不带ESD的LNA分别进行了仿真和性能比较,仅供参考.
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发表于 2010-10-8 11:20:18 | 显示全部楼层
500fF是可能的!
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发表于 2010-10-8 11:22:29 | 显示全部楼层
回复 14# fuyibin


nice...
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发表于 2010-10-8 11:27:52 | 显示全部楼层
回复 26# zhukh

请问文档哪里下载?谢谢!
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发表于 2010-10-8 12:26:41 | 显示全部楼层
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