问一个floded cascode运放的问题

jianjing526 · 发表于 2010-9-17 10:23:49

to goodsilicon, 两种cascode的使用频率没有去对比过，对于一个特定的spec可能两者都可以用，用哪个纯粹是个人倾向
to smelly
psrr+之所以优于常规结构是电流镜的位置决定的，一般来说1/gm相对rds是个低阻通路；system offset=(Vout+-Vout-)/Aol, Vout+设定为op的输出，Vout-为对应的反向输出端(常规结构中为vcc-vgsp, 这个结构里为vgsn), 在Aol等同的情况下，Vout+小点system offset会好点

wind2000sp3 · 发表于 2010-9-17 10:37:40

电流镜的位置跟psrr有关，在下面是抑制GND的噪声，在上面是抑制VDD的噪声。

chenxm0113 · 发表于 2010-9-17 12:18:17

没什么特别啊，看看书就知道了

bbjack · 发表于 2010-9-17 14:30:26

swing較大, gain相同,

bbjack · 发表于 2010-9-17 14:32:29

接p或接n當然有差

gmro*ro

gmn > gmp 接下rl較大

beixujia · 发表于 2010-9-18 23:06:43

值得研究

wjx197733 · 发表于 2011-3-1 10:42:24

可以增大输入共模范围

hsh22 · 发表于 2011-3-7 14:18:47

sansen的书上讲了

abab1394 · 发表于 2011-3-7 15:13:51

大信号是不一样的，对电容充电的电流另外一种结构的一半。就是说 slew-rate,会有点问题。
主要用在输出平衡电压低的场合，两级运放的第二级可以直接用 nmos管，要不就只能用pmos，或者common-drain + nmos.

gaojun927 · 发表于 2011-3-7 22:34:21

值得一想

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