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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 问一个floded cascode运放的问题
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楼主: smelly

[原创] 问一个floded cascode运放的问题

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jianjing526
发表于 2010-9-17 10:23:49 | 显示全部楼层
to goodsilicon, 两种cascode的使用频率没有去对比过，对于一个特定的spec可能两者都可以用，用哪个纯粹是个人倾向
to smelly
psrr+之所以优于常规结构是电流镜的位置决定的，一般来说1/gm相对rds是个低阻通路；system offset=(Vout+-Vout-)/Aol, Vout+设定为op的输出，Vout-为对应的反向输出端(常规结构中为vcc-vgsp, 这个结构里为vgsn), 在Aol等同的情况下，Vout+小点system offset会好点
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wind2000sp3
发表于 2010-9-17 10:37:40 | 显示全部楼层
电流镜的位置跟psrr有关，在下面是抑制GND的噪声，在上面是抑制VDD的噪声。
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chenxm0113
发表于 2010-9-17 12:18:17 | 显示全部楼层
没什么特别啊，看看书就知道了
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bbjack
发表于 2010-9-17 14:30:26 | 显示全部楼层
swing較大, gain相同,
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bbjack
发表于 2010-9-17 14:32:29 | 显示全部楼层
接p或接n當然有差

gmro*ro

gmn > gmp 接下rl較大
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beixujia
发表于 2010-9-18 23:06:43 | 显示全部楼层
值得研究
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wjx197733
发表于 2011-3-1 10:42:24 | 显示全部楼层
可以增大输入共模范围
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hsh22
发表于 2011-3-7 14:18:47 | 显示全部楼层
sansen的书上讲了
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abab1394
发表于 2011-3-7 15:13:51 | 显示全部楼层
大信号是不一样的， 对电容充电的电流另外一种结构的一半。就是说 slew-rate,会有点问题。
主要用在输出平衡电压低的场合，两级运放的第二级可以直接用 nmos管，要不就只能用pmos，或者common-drain + nmos.
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gaojun927
发表于 2011-3-7 22:34:21 | 显示全部楼层
值得一想
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