bandgap＝Vbe＋MVt， Vbe是如何计算出来的？

jianjing526

Vbe=VT*ln(Ic/Is)
VT=kT/q，热电压，常温下T=300K，VT=26mV
Ic: 集电极电流，以1uA为例
Is: 扩散电流，是温度的函数，常温下Is=6e-17A(TSMC0.6um 低压混合信号工艺model)
所以这里常温下计算值Vbe=612mV

super_im

这篇论文很好！！

pandaoyzh

Vbe＝VTln(I/Is)
I是流过bipoly管的电流，Is的bipoly管的饱和电流．
VT=kT/q

luyan

对于基准的计算，很对书上都讲的很不错，可以看看拉扎维的书都可以搞定，
不过那只是理论上的结果，具体的分析还得看工艺模型的精度了！

viag

   

原帖由 lxch011 于 2007-6-8 17:17 发表

                               
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应该是你的BJT电流太大了，这样Vbe对电流的变化（由于温度变化引起）就不能很好的补偿，看看二极管的I-V曲线吧
，所以这个电流得选的小些好

电流小了对地上的干扰抑制是不是会变得很小呢？

semico_ljj

   

原帖由 viag 于 2009-1-4 00:06 发表

                               
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电流小了对地上的干扰抑制是不是会变得很小呢？

一般不会，Ibias取几uA即可

refugee

Vbe是相对比较固定的，我一般都是先计算出bandgap中通过bjt的电流，然后再用软件仿出vbe的具体值

jiangnancai

   

原帖由 jianjing526 于 2008-6-30 14:06 发表

                               
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Vbe=VT*ln(Ic/Is)
VT=kT/q，热电压，常温下T=300K，VT=26mV
Ic: 集电极电流，以1uA为例
Is: 扩散电流，是温度的函数，常温下Is=6e-17A(TSMC0.6um 低压混合信号工艺model)
所以这里常温下计算值Vbe=612mV

这说明Vbe是和Ic的大小相关的，首先要确定Ic的大小，然后仿真Vbe的大小。靠公式计算你能相信吗？

jiangnancai

   

原帖由 mayfly123 于 2007-11-27 20:41 发表

                               
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大家有没有做过基于亚阈区的基准，我发现管子的宽长比要很大很大（>1000）才可以使delta Vgs的值降到接近理论计算的vgs的差值，
我知道亚阈区的宽长比是要很大的，但是大到这样的程度还是正常的么？有点不敢下手了， ...

不能减小电流？

mickey1999

xuexi ont time