请教一个关于天线效应的问题

bandgap

如果poly gate是连到I/O上的(有esd protection device)，metal/poly面积比如果很大，会有天线效应吗？

lylnk

要考虑工艺顺序问题的。

假如你metal1做完就连接上了，那没有问题。
如果top metal才连上，而且top metal下某层metal/poly很大，那就有天线效应了，需要加diode保护了。

bandgap

要考虑工艺顺序问题的。

假如你metal1做完就连接上了，那没有问题。
如果top metal才连上，而且top metal下某层metal/poly很大，那就有天线效应了，需要加diode保护了。
lylnk 发表于 2010-9-9 10:05

                               
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esd protection device不算是保护吗？

goodsilicon

esd protection device不算是保护吗？
bandgap 发表于 2010-9-9 10:14

                               
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问题是在彼时 pad的二极管有可能还没连上，如前文兄弟所示。。

bandgap

问题是在彼时 pad的二极管有可能还没连上，如前文兄弟所示。。
goodsilicon 发表于 2010-9-9 10:51

                               
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That means if the esd protection device connected with internal circuit by bottom metal, the device will not be destroyed by antenna effect, and the esd protection device act as a NAC diode?

Thanks a lot,

Bandgap

lylnk

在刻蚀大片metal的时侯，连上了diode就可以了。

比如M2的面积很大，你用m2连通到diode就可以了，用m1直接连通了也行。

bandgap

在刻蚀大片metal的时侯，连上了diode就可以了。

比如M2的面积很大，你用m2连通到diode就可以了，用m1直接连通了也行。
lylnk 发表于 2010-9-9 11:58

                               
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Thanks a lot.

phase2000

agree upstair