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[讨论] nmos ldo的load transient reponse

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发表于 2010-9-7 11:31:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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pmos ldo的load在从0跳到Imax时输出端的电压下降的幅度delta(Vout)=(1/BW+TSLG)*Imax, 如果是nmos做功率管,这个时间常数怎么计算?
做过一个仿真,似乎性能更好..., 期待高手解答
发表于 2010-9-7 11:54:56 | 显示全部楼层
公式我不会
结果会比pmos的好很多很多
发表于 2010-9-7 11:57:23 | 显示全部楼层
我觉得load response这种,负载变化前后的输出极工作状态变化很大,尤其gm变化很大。
这个已经不太适用小信号交流分析了。

猜一个公式:gm2*CL。 gm2=(gm2(小电流)+gm2(大电流))/2
发表于 2010-9-7 15:01:20 | 显示全部楼层
谢谢回复
直观上挺容易理解的,负载电流突然变大,输出端电压下降。由于环路来不及反馈,功率mos的gate端电压保持不变,Vgs增大,就会有大量电流流入负载,而pmos就没有这样的反应
 楼主| 发表于 2010-9-8 12:39:44 | 显示全部楼层
大侠们现身啊
 楼主| 发表于 2010-9-9 15:03:50 | 显示全部楼层
自己顶,寻求探讨
发表于 2010-9-9 15:19:40 | 显示全部楼层
NMOS 做驱动, 负载看到的阻抗会很小,所以速度快
发表于 2010-11-15 09:47:21 | 显示全部楼层
路过学习学习
发表于 2010-11-15 12:56:15 | 显示全部楼层
是不是可以这么理解,P管负载是瞬态电流变化是其Vds引起;而N管是Vgs引起,所以N管性能好???
发表于 2010-11-15 20:34:52 | 显示全部楼层
我同意4楼和9楼的,负载电流变化指的是绝对电流的变化,假设功率管一直是饱和区的话Id=kw/l(Vgs-Vth)^2(1+lambdaVds);NMOS负载电压降低改变的是平方项,PMOS是带一次项,还带个lambda系数,影响相差很大
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