请教一个关于CP的问题

sdd731120 · 发表于 2010-9-3 19:55:30

。。。他的意思是Iout复制Iref电流结构中的俩个MOS管的L要一致，这是为了减少因沟道长度调制效应引起的电流复制精度误差，W可以不一样，这样就能成比列复制基准电流了，作为模拟设计，L一般不取特征尺寸的，像你的工艺是130nm的要取这个值的3-5倍，对于电流源还要大一些，也是沟道调制的原因

sheep07 · 发表于 2010-9-7 11:12:10

sorry i do not know

660055 · 发表于 2010-9-8 20:40:12

连这些都不知道怎么可以这么浪费钱的！

多来eetop转才行！

goodsilicon · 发表于 2010-9-9 08:55:19

连这些都不知道怎么可以这么浪费钱的！

多来eetop转才行！
660055 发表于 2010-9-8 20:40

登录/注册后可看大图

虽然说得难听了点，但确实如此。

lylnk · 发表于 2010-9-9 09:35:23

仿真和测试不同。

可能是寄生电容的影响。或者有电流穿通。

cllf · 发表于 2010-9-9 17:23:44

学习...

whhit264209 · 发表于 2010-9-14 14:27:45

谢谢您！！！ 11# sdd731120

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