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本帖最后由 wangee 于 2010-6-24 20:19 编辑
Nios处理器的程序和数据都是放在onchip_ram,通过软件读写SDRAM,代码如下:
alt_u16 *ptr = (alt_u16*)(SDRAM_BASE);
for(i=0;i<N;i++)
{
//array = IORD_16DIRECT(SDRAM_BASE,i);
array = *(ptr+i);
}
发现每写一个数据平均要40-50个时钟周期,这个太慢了,
请问有没有更好的方法来访问SDRAM,想利用SDRAM的突发模式,这样可以快一点,不知道在Nios II core的哪里改进。
谢谢 |
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