大家在仿真中如何计算比较器的offset的

morrisgu · 发表于 2010-6-2 11:01:05

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rt
常用哪些方法？

liiru · 发表于 2010-6-10 21:04:02

这个东西从理论上来计算似乎不太容易啊，这好像是工艺偏差引起的吧？这个只能流片以后再测了

zjzhang1124 · 发表于 2010-6-25 23:11:22

多流片多测试

vpecxuwei · 发表于 2010-6-29 05:54:34

可以 run MonteCarlo仿真得到

1# morrisgu

clei1117 · 发表于 2010-10-13 16:53:19

这篇文章不错~~~

chenbin11168 · 发表于 2011-2-3 21:14:58

学习！！

lllyyy625 · 发表于 2011-7-10 14:03:58

对啊仿真出来的失调电压只有几百微，我觉得我的仿真方法还算正确，但是这个失调电压也太小了吧
有些资料上说的的用仿真工具是实现不了对失调电压的仿真的，
那么我们怎么做呢？？求解答
像楼上说的流片后测试么？
那如果是一个通用芯片不是专门比较器，那怎么测试
而且有不止一种比较器，那那岂不是要加很多测试电路？？？不可行吧？

baby02204270 · 发表于 2011-8-9 13:47:45

thanks for share

lc_seu · 发表于 2011-10-27 17:33:15

做post_layout sim 就可以仿出来很多了

peterlin2010 · 发表于 2011-10-28 11:45:48

circuit sim 是 symetic offset ..

layout & process  ranom offset sim 不出來 .
一般 0.5um 5v  一般不特別做 offset 約 ~10mv .. Hiv 40v cmos 是幾百 mV
..
要降低得 W/L  比接近到 1:1  且 W*L >> 某些值 ,  Fab 都會提供
但是 ,如果是  lcd driver 須很多 op 要求 match , 除了 layout  match 外 .
電路會須加上  auto_zero or chopper 方式 ..
每個 die 自己會算 offset 在 compensation 回去 ..相關好像有專利 .

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