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发表于 2010-6-2 17:46:39
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三极管的Ic-Vbe图、MOS管的Id-Vgs图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为early voltage。
Early voltage 是一个重要参数"Early voltage"符号VA，在三极管放大区中，理想情况下vce的变化是不会引起ic的变化的，但实际上vce变化会引起ic的变化，那么ic-vce就不是一条直线，而是一条斜线，这也是导致了β值不是固定值，ic-vce曲线在放大区斜率的倒数，就是我们在小信号分析中考虑到的ro，
理想情况下公式: ic=Is*exp(vbe/VT)
考虑到VA的修正公式： ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)
ro 是vce对ic的求导，即ic-vce在放大区的斜率的倒数，得到ro≈VA/Ic
VA越大，ro越大，ic-vce越接近理想水平线。
但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？
"We observe that the characteristic curves, though still straight lines, have finite slope.In fact, when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon.
...
The linear dependence of ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant and including the factor (1+vce/VA) in the equation for ic as follows: ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)"
---<<Micoelectronic Circuits>>--Adel S.Sedra, Kenneth C.Smith
这段话的意思是：我们看到的特性曲线一直是水平线（斜率无穷大）。但事实上，曲线的反向延长线会交vce坐标轴于一点"-VA".这点叫做Early Voltage.名称来自于第一个研究这个的科学家的名字.
...
这条ic-vce直线当反向饱和电流Is是一个常数时，反向延长线才交于一点（有公式可知）。
但是我们知道（NPN），Is=AE*q*Dn*ni^2/(NA*W),AE是PN结截面积，q是电子电量，Dn是电子迁移率，ni是半导体常数，NA是三价杂质浓度，W是基区宽度。可知Is和ni，W有关，ni是一个温度系数，而W是一个和vce有关的变量，在实际中Is就不可能做到是一个常数，尤其是W是一个vce相关变量。因此，实际ic-ve的反向延长线，不会交于一点。但是大致会有一点。Early Voltage越大，ro越大，三极管小信号模型越理想。
三极管的Ic-Vbe图、MOS管的Id-Vgs图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为early voltage。
Early voltage 是一个重要参数"Early voltage"符号VA，在三极管放大区中，理想情况下vce的变化是不会引起ic的变化的，但实际上vce变化会引起ic的变化，那么ic-vce就不是一条直线，而是一条斜线，这也是导致了β值不是固定值，ic-vce曲线在放大区斜率的倒数，就是我们在小信号分析中考虑到的ro，
理想情况下公式: ic=Is*exp(vbe/VT)
考虑到VA的修正公式： ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)
ro 是vce对ic的求导，即ic-vce在放大区的斜率的倒数，得到ro≈VA/Ic
VA越大，ro越大，ic-vce越接近理想水平线。
但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？
"We observe that the characteristic curves, though still straight lines, have finite slope.In fact, when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon.
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The linear dependence of ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant and including the factor (1+vce/VA) in the equation for ic as follows: ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)"
---<<Micoelectronic Circuits>>--Adel S.Sedra, Kenneth C.Smith
这段话的意思是：我们看到的特性曲线一直是水平线（斜率无穷大）。但事实上，曲线的反向延长线会交vce坐标轴于一点"-VA".这点叫做Early Voltage.名称来自于第一个研究这个的科学家的名字.
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这条ic-vce直线当反向饱和电流Is是一个常数时，反向延长线才交于一点（有公式可知）。
但是我们知道（NPN），Is=AE*q*Dn*ni^2/(NA*W),AE是PN结截面积，q是电子电量，Dn是电子迁移率，ni是半导体常数，NA是三价杂质浓度，W是基区宽度。可知Is和ni，W有关，ni是一个温度系数，而W是一个和vce有关的变量，在实际中Is就不可能做到是一个常数，尤其是W是一个vce相关变量。因此，实际ic-ve的反向延长线，不会交于一点。但是大致会有一点。Early Voltage越大，ro越大，三极管小信号模型越理想。
三极管的Ic-Vbe图、MOS管的Id-Vgs图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为early voltage。
Early voltage 是一个重要参数"Early voltage"符号VA，在三极管放大区中，理想情况下vce的变化是不会引起ic的变化的，但实际上vce变化会引起ic的变化，那么ic-vce就不是一条直线，而是一条斜线，这也是导致了β值不是固定值，ic-vce曲线在放大区斜率的倒数，就是我们在小信号分析中考虑到的ro，
理想情况下公式: ic=Is*exp(vbe/VT)
考虑到VA的修正公式： ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)
ro 是vce对ic的求导，即ic-vce在放大区的斜率的倒数，得到ro≈VA/Ic
VA越大，ro越大，ic-vce越接近理想水平线。
但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？
"We observe that the characteristic curves, though still straight lines, have finite slope.In fact, when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon.
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The linear dependence of ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant and including the factor (1+vce/VA) in the equation for ic as follows: ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)"
---<<Micoelectronic Circuits>>--Adel S.Sedra, Kenneth C.Smith
这段话的意思是：我们看到的特性曲线一直是水平线（斜率无穷大）。但事实上，曲线的反向延长线会交vce坐标轴于一点"-VA".这点叫做Early Voltage.名称来自于第一个研究这个的科学家的名字.
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这条ic-vce直线当反向饱和电流Is是一个常数时，反向延长线才交于一点（有公式可知）。
但是我们知道（NPN），Is=AE*q*Dn*ni^2/(NA*W),AE是PN结截面积，q是电子电量，Dn是电子迁移率，ni是半导体常数，NA是三价杂质浓度，W是基区宽度。可知Is和ni，W有关，ni是一个温度系数，而W是一个和vce有关的变量，在实际中Is就不可能做到是一个常数，尤其是W是一个vce相关变量。因此，实际ic-ve的反向延长线，不会交于一点。但是大致会有一点。Early Voltage越大，ro越大，三极管小信号模型越理想。 |
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