传输门的PMOS衬底问题

stoneduan · 发表于 2010-4-21 14:17:47

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看到一个电路，里面传输门的PMOS衬底
在其导通时通过另外一个传输门连接到source端，
关闭的时候连接到电源电位
这个有什么好处么？好像并不能提升沟道电荷注入的问题吧

fastsilicon · 发表于 2010-4-21 16:40:20

这个叫做bulk switching，可以用在开关电容电路里。。

导通时：希望Vth小，所以要避免body effect

关断时：希望Vth大，所以就要body effect

具体有多大用处，没研究过，反正觉得挺麻烦的。

liuqf · 发表于 2010-4-21 18:51:00

长见识！

小草 · 发表于 2010-4-21 19:07:27

顶一个。

leoaww · 发表于 2010-4-21 20:00:31

可能会有考虑衬底电容的问题吧，，优化Vth的同时，能不能优化开关的寄生电容问题呢？

slowsilicon · 发表于 2010-4-22 09:35:58

可能会有考虑衬底电容的问题吧，，优化Vth的同时，能不能优化开关的寄生电容问题呢？
leoaww 发表于 2010-4-21 20:00

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关衬底电容啥事？

wind2000sp3 · 发表于 2010-4-22 11:39:08

哦，是这样啊

vzhenyi · 发表于 2013-7-15 16:52:39

学习了

ygchen2 · 发表于 2013-7-16 02:21:30

回复 1# stoneduan

对于一个传输门PMOS，你怎么知道哪边是source?

stoneduan · 发表于 2013-7-18 15:45:53

回复 stoneduan

对于一个传输门PMOS，你怎么知道哪边是source?
ygchen2 发表于 2013-7-16 02:21

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方便表达而已，大家都知道MOS是对称的

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