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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 偏置电路的疑问（附图）
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楼主: hammilton126

[求助] 偏置电路的疑问（附图）

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念地儿
发表于 2010-10-11 16:20:13 | 显示全部楼层
谢谢！
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zhangfuquan
发表于 2010-10-25 13:26:03 | 显示全部楼层
.....................................................................................
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jlinky
发表于 2010-10-27 22:54:14 | 显示全部楼层
gray书上有的吧 电平转移vb4最低可到2Vov 普通的要加个阈值
不过N2的宽长比小≤N1的三分之一
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xuyanyan141
发表于 2010-11-10 14:57:29 | 显示全部楼层
路过学习学习
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angelwin
发表于 2010-11-15 14:19:07 | 显示全部楼层
缩小电源电压
增加节点输出阻抗
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aimu_wl
发表于 2012-6-29 19:23:31 | 显示全部楼层
学习了!!!!!
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moonnejs
发表于 2012-6-30 14:09:51 | 显示全部楼层
还有 衬偏效应应该是指Vsb对开启电压的影响
对NMOS Vsb越大开启电压越大
文章里的衬底应该都是接地
所以文章的意思可能是要偏置的运放的那个管子的源端电压也存在一个Vdsat
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adampippo
发表于 2012-7-23 19:56:09 | 显示全部楼层


gray书上有的吧 电平转移vb4最低可到2Vov 普通的要加个阈值
不过N2的宽长比小≤N1的三分之一
jlinky 发表于 2010-10-27 22:54

                               
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    的确是这样，GRAY书上第四章关于镜像电流源有详细阐述N2管在线性区，取N2管是N1管的1/3，提高I1和I2的匹配
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josh11182002
发表于 2012-8-19 10:09:50 | 显示全部楼层
路过，学习中......
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榴莲学长
发表于 2022-1-14 09:17:41 | 显示全部楼层
路过学习一下
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