请问这两个电路的区别

flygress · 发表于 2010-3-30 18:52:29

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本帖最后由 flygress 于 2010-4-2 22:19 编辑

请问，上面的两个电路，都可以让输出是输入的一个电平移，右面的电路通过控制电流源应该可以使输出电位是输入电位平移1.4V的结果。那使用第一个电路需要更大的面积来实现，它的好处是不是因为VBE在工艺里的偏差比通过MOS来做更小些？
说明一下，实际电路中采用的是第一个电路，后一级是MOS管输入。这个芯片是个BICMOS工艺的。我想问的就是为什么用第一个电路做电平移，而不用第二个。谢谢

Angelasong · 发表于 2010-3-30 20:29:21

左图是BJT实现电平平移，右面是CMOS工艺制作实现的MOSFET电平平移电路；阈值电压的偏差大小与具体的工艺制程相关。

zhj19503 · 发表于 2010-3-30 21:17:57

不是很懂，起什么作用

woodtrain · 发表于 2010-3-30 21:50:01

只看这一部分电路去讨论谁好是没意义的，要看后面带的什么电路，如果后面是bjt那么用bjt移电平可以track后面的，同理用mos track mos。关键还是看你需要的输出是什么

grusher · 发表于 2010-3-30 23:32:53

同意4楼的说法

goodsilicon · 发表于 2010-3-31 09:45:11

只看这一部分电路去讨论谁好是没意义的，要看后面带的什么电路，如果后面是bjt那么用bjt移电平可以track后面的，同理用mos track mos。关键还是看你需要的输出是什么
woodtrain 发表于 2010-3-30 21:50

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Yes, analog designer always say: "it depends!"

wfish · 发表于 2010-3-31 11:38:35

impedance is different!

flygress · 发表于 2010-3-31 18:23:37

请大家都帮忙分析分析

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