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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 请问这两个电路的区别
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查看: 2748|回复: 7

[求助] 请问这两个电路的区别

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flygress
发表于 2010-3-30 18:52:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 flygress 于 2010-4-2 22:19 编辑

111.JPG
请问，上面的两个电路，都可以让输出是输入的一个电平移，右面的电路通过控制电流源应该可以使输出电位是输入电位平移1.4V的结果。那使用第一个电路需要更大的面积来实现，它的好处是不是因为VBE在工艺里的偏差比通过MOS来做更小些？
说明一下，实际电路中采用的是第一个电路，后一级是MOS管输入。这个芯片是个BICMOS工艺的。我想问的就是为什么用第一个电路做电平移，而不用第二个。谢谢
芯片, 一级

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Angelasong
发表于 2010-3-30 20:29:21 | 显示全部楼层
左图是BJT实现电平平移，右面是CMOS工艺制作实现的MOSFET电平平移电路；阈值电压的偏差大小与具体的工艺制程相关。
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zhj19503
发表于 2010-3-30 21:17:57 | 显示全部楼层
不是很懂，起什么作用
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woodtrain
发表于 2010-3-30 21:50:01 | 显示全部楼层
只看这一部分电路去讨论谁好是没意义的，要看后面带的什么电路，如果后面是bjt那么用bjt移电平可以track后面的，同理用mos track mos。关键还是看你需要的输出是什么
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grusher
发表于 2010-3-30 23:32:53 | 显示全部楼层
同意4楼的说法
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goodsilicon
发表于 2010-3-31 09:45:11 | 显示全部楼层


只看这一部分电路去讨论谁好是没意义的，要看后面带的什么电路，如果后面是bjt那么用bjt移电平可以track后面的，同理用mos track mos。关键还是看你需要的输出是什么
woodtrain 发表于 2010-3-30 21:50

                               
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Yes, analog designer always say: "it depends!"
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wfish
发表于 2010-3-31 11:38:35 | 显示全部楼层
impedance is different!
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flygress
 楼主| 发表于 2010-3-31 18:23:37 | 显示全部楼层
请大家都帮忙分析分析
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