请教下用于LC-VCO的电容管的C-V仿真

sejimmu

本人最近在接触LC-VCO， 变容管用smic.18mmrf CMOS工艺的积累区Nmos变容管。即栅接正级，N+的源漏接负极。
用sp仿真，谐振频率在4.9G上下.PORT加直流0.8V以及幅度为0.6V，频率4.9G的正弦信号。
变容管一端接PORT，另外一端接变量电压。用sp仿真。对变量vd进行sweep，用YP看Y11的虚部，然后除以2π除以4.9G，得出电容。电容图在下面。结果发现0到0.4V的范围，斜率居然还略大于0.
感觉是不是仿真方法有问题。而且为什么Vgs为正时（耗尽区），电容大。Vgs为负时（积累区）电容小？跟一般的电容C-V特性不一样嘛。谢谢指教。

gibsonmpf

完全没必要这么麻烦，具体仿真C-V特性的方法看我发的这个帖子

http://www.eetop.cn/bbs/thread-220797-1-1.html

sejimmu

2# gibsonmpf

呵呵，谢谢了，我看了那篇PDF，他仿真的只是直流op下的Cgg，但实际中，变容管一边接的是高频正弦啊。

jiafu

thanks