在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: Kevin_lk

[原创] 【疑问】为什么“近来芯片几何尺寸的减小已经迫使要求更低的逻辑供电电压”

[复制链接]
发表于 2010-1-27 10:20:10 | 显示全部楼层
楼上vongy讲出了深层原因:“在高电压下速率饱和与迁移率下降使得电流的大小比预期值要低”,以及“很短的沟道和很薄的栅氧层也会受到高VDD的破坏”。
发表于 2010-1-27 15:22:28 | 显示全部楼层
可能我说的不清楚:
在更小的尺寸下,可以用更小的电压实现相同的功能,好像叫等比例下降,
反正更小的电压意味这更小的功耗,所以小尺寸,小功耗,高速度能同时实现,当然要降低电压了。
发表于 2010-1-27 21:03:28 | 显示全部楼层
需要看下按比例缩小理论,首先得保证管子不能被击穿才有资格讨论功耗、速度之类的话题,道理很简单。
其中一种叫恒定电场缩小,E=U/d,d减小,U也要减小。
发表于 2010-2-10 10:31:28 | 显示全部楼层
楼上两位基本正确。
尺寸变小,gate的绝缘层变薄,电压太高会击穿
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-17 14:34 , Processed in 0.016690 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表