功率器件高温漏电和耐压退化问题

xiaoxiuguang · 发表于 2010-1-12 23:12:00

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我的问题其实是功率器件相关的，但是找不到合适的版块，就发在IC里面吧。
问题是这样的：
我们做的功率器件，终端为场环+多晶和金属场板结构，钝化层为PSG和氮化硅，经过一段时间的高温反偏后，漏电明显变大，有的耐压会低几百伏，有的经过一段时间放置后，又有恢复。
请问这种耐压退化和漏电问题主要与那些因素有关，是否主要是钝化层不好引起，有什么办法验证和改善？

yixiu0000 · 发表于 2010-3-26 14:33:53

关注@！@#！

lpguan2009 · 发表于 2010-6-1 12:34:42

不知楼主是指HTGB failure 还是HTRB failure

yushijiangyanle · 发表于 2010-7-11 15:56:20

期待高手

gbsid · 发表于 2010-7-11 17:18:25

不懂工艺

wanghaibo803 · 发表于 2010-8-13 15:40:11

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darklord7 · 发表于 2010-11-11 20:24:36

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xiaoxiaoshi · 发表于 2011-1-20 22:14:51

这类问题会的人很少了吧

liaohong77 · 发表于 2011-2-18 10:41:39

遇到相同的问题。正常情况下高温都会有漏电增加的情况，但是MOS和DIODE击穿电压是应该增加的，不知楼主是否也是IGBT?

lpguanxd · 发表于 2011-9-11 07:06:44

不知楼主来之于那家公司

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