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[求助] 功率器件高温漏电和耐压退化问题

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发表于 2010-1-12 23:12:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我的问题其实是功率器件相关的,但是找不到合适的版块,就发在IC里面吧。
问题是这样的:
    我们做的功率器件,终端为场环+多晶和金属场板结构,钝化层为PSG和氮化硅,经过一段时间的高温反偏后,漏电明显变大,有的耐压会低几百伏,有的经过一段时间放置后,又有恢复。
    请问这种耐压退化和漏电问题主要与那些因素有关,是否主要是钝化层不好引起,有什么办法验证和改善?
发表于 2010-3-26 14:33:53 | 显示全部楼层
关注@!@#!
发表于 2010-6-1 12:34:42 | 显示全部楼层
不知楼主是指HTGB failure 还是HTRB failure
发表于 2010-7-11 15:56:20 | 显示全部楼层
期待高手
发表于 2010-7-11 17:18:25 | 显示全部楼层
不懂工艺
头像被屏蔽
发表于 2010-8-13 15:40:11 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
头像被屏蔽
发表于 2010-11-11 20:24:36 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2011-1-20 22:14:51 | 显示全部楼层
这类问题会的人很少了吧
发表于 2011-2-18 10:41:39 | 显示全部楼层
遇到相同的问题。正常情况下高温都会有漏电增加的情况,但是MOS和DIODE击穿电压是应该增加的,不知楼主是否也是IGBT?
发表于 2011-9-11 07:06:44 | 显示全部楼层
不知楼主来之于那家公司
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