如何直观地分析器件 沟调效应相关问题学习心得

zhenyi1168

不错的想法
改天再仔细研究一下

lifengyang

回复 1# wlw851012


    问题1，可以做，但好像意义不是很大
问题2，vgs已经不固定了
3.没明白

cjyy6

我有幸听BSIM model创立者之一讲过这个问题,当时他对这个问题的解释就是:
沟道夹断本身就是一种近似和假设,在此基础上得到的电流模型可以使用即可,无需纠结此处的物理意义.

bbbenjamin

线性区还有沟道效应呢 这是个连续的物理过程

iamshan

回复 3# wlw851012

不懂设计，从工艺角度说说我的看法
1.能否在器件的DS之间并联其他电阻以改变器件的沟调效应等效电阻  这样做有意义么
没有意义，工艺上不可能做到，异想天开了
2.假设NMOS饱和状态 沟道夹断  如果固定住D和S端电位  只改变G端电位 这样不是在Vgs固定的情况下仍然出现了沟道长度变化么  这该怎么看 怎么理解？  
？？？  只改变G端，Vgs固定，  矛盾
3.再假设一种情况  还是NMOS饱和 沟道夹断 有效沟道长度刚好为L/2 即夹断处在中间 如果把G端电位固定 我等量反向变化D和S端电位  此时可以保持有效沟道长度不变  这样就出现了Vds增大或减小了 但沟调效应却没有出现 那前面的那个修正公式是否还有效呢
改变D,S电压  已经改变VT了

综上，楼主不懂device，应该好好学习一下MOS器件。

JoyShockley

部分模拟初学者，最喜欢就是像楼主这样想当然了，其实稍微研究一下一阶模型的建立方法，就知道lambda是怎么来的。用得着这样去“凑”一个所谓的结果，美其名曰“直观”。 如果直观不是建立在，严谨理论推导后的升华，这种所谓直观，只会误人子弟，害人害己。

heimag08

后面两个没理解，对于第一个，假设没有沟道调制效应，在管子的D和S间并联一个电阻，推导出的公式和有沟道调制效应形式一样。